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龙图腾网恭喜苏州洪芯集成电路有限公司申请的专利一种用于flash读保护改变的测试电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111586275.4，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种用于flash读保护改变的测试电路及方法是由娄霞;张旭设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于flash读保护改变的测试电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于flash读保护改变的测试电路及方法，包括以下步骤：（1）完成测试电路连接工作；（2）将测试程序烧录到SRAM里并启动；（3）判断寄存器FLASH_OBR是否为初始值，若是，则向flash中写入内容，并写入标记值重启程序；（4）判断寄存器是否为写入的标记值，若是则修改读保护位的值重启程序；（5）判断读保护位的值是否为修改值，若是，对写入内容进行检测；（6）判断写入内容是否被擦除，若是，则验证了flash读保护等级改变会引起程序擦除。本发明将测试程序烧录到芯片自带的SRAM里，并从SRAM启动，避免将flash中的测试程序擦除，且通过对寄存器写入标记值可避免程序进入不断重启的死循环。

本发明授权一种用于flash读保护改变的测试电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于flash读保护改变的测试电路，其特征在于：包括芯片、上位机和程序下载器，芯片内包括flash模块和SRAM模块，所述芯片电源引脚连接相应电压电源，所述芯片GND引脚接地，所述芯片BOOT0和BOOT1接上拉电阻连接至电源，所述程序下载器一端连接芯片JTAG串口，程序下载器另一端连接上位机，具体包括以下步骤：（1）完成上述测试电路的硬件连接工作；（2）将测试flash的程序通过下载器烧录到芯片的SRAM里，并从SRAM启动；（3）判断flash寄存器FLASH_OBR是否为初始值，若是，则向flash中写入内容，并对flash寄存器FLASH_OBR写入标记值，重启程序，让标记值生效，若不是，则执行下一步骤；（4）判断flash寄存器FLASH_OBR是否为写入的标记值，若是，修改flash中读保护位的值，重启程序，让读保护状态改变生效，若不是，则执行下一步骤；（5）判断flash读保护位的值是否为步骤（4）中修改的值，若是，则通过测试程序对步骤（3）中写入flash的内容进行检测，若不是，则说明flash的读保护无法开启，则无法对flash读保护状态改变进行测试；（6）通过测试程序判断步骤（3）中写入flash的内容是否被擦除，若是，则验证了芯片flash读保护等级的改变会引起程序擦除，若不是，则说明芯片flash读保护等级的改变不会引起程序擦除。

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