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龙图腾网恭喜北京航天试验技术研究所申请的专利一种低温介质密度传感器标定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114813455B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210239126.9，技术领域涉及：G01N9/00；该发明授权一种低温介质密度传感器标定方法是由苏韬;陈静;李山峰;申娟;宋建军;杨晓阳;王淮英;郭嘉翔设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温介质密度传感器标定方法在说明书摘要公布了：一种低温介质密度传感器标定方法，步骤一、根据待测介质A1、使用中上限温度Tmax、下限温度Tmin，选择实验参考低温液体介质A0，A2；步骤二、在近似标准大气压下，测量传感器浸入A0中的电容C0，已知该条件下A0的相对介电常数εA0；步骤三、在近似标准大气压下，测量传感器浸入A2中的电容C2，已知该条件下A2的相对介电常数εA2；步骤四、将C0、C2代入公式C＝K×ε+Cs求解得到传感器结构系数K，Cs；步骤五、在近似标准大气压下，测量传感器浸入A1中的电容C1，已知该条件下A1的相对介电常数εA1；步骤六、根据K，Cs，求出实测ε′A1，与已知εA1比较，并计算相对偏差。本发明利用正常大气压下的复现性好的液相沸点温度作为标定条件，在实验室条件下即可完成标定，具有简化操作，效率高、标定可靠等优点，应用效果良好。

本发明授权一种低温介质密度传感器标定方法在权利要求书中公布了：1.一种低温介质密度传感器标定方法，其特征在于，按照如下步骤工作：步骤一、根据待测介质A1、使用中上限温度Tmax、下限温度Tmin，选择实验参考低温液体介质A0，A2；A1在标准大气压下的沸点温度TA1满足TminTA1Tmax，A0在标准大气压下的沸点温度TA0满足0KTmin-TA020K，A2在标准大气压下的沸点温度TA2满足0KTA2-Tmax20K；步骤二、在近似标准大气压下，测量传感器浸入A0中的电容C0，已知该条件下A0的相对介电常数εA0；近似标准大气压的条件范围为91KPa～110Kpa；步骤三、在近似标准大气压下，测量传感器浸入A2中的电容C2，已知该条件下A2的相对介电常数εA2；步骤四、将C0、C2代入公式C＝K×ε+Cs求解得到传感器结构系数K，寄生电容Cs；其中，C为测量得到的电容值；步骤五、在近似标准大气压下，测量传感器浸入A1中的电容C1，已知该条件下A1的相对介电常数εA1；步骤六、根据K，Cs，求出实测εˊA1，与已知εA1比较，并计算相对偏差。

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