买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115081180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210492066.1，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法是由刘红侠;卢勇;杨昆设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法，包括以下步骤：步骤10，对SOINMOS器件进行三维器件结构建模；步骤20，将SOINMOS三维器件结构模型的栅介质材料参数文件进行修改，以激活Radiation模型，并设置模型的辐照偏置状态；步骤30，设置辐照剂量率和多个不同的辐照时间，对SOINMOS三维器件结构模型进行辐照总剂量仿真，提取不同辐照剂量下对应的阈值电压Vth；步骤40，将阈值电压Vth输入栅隧穿电流经验公式中进行模拟仿真，得到总剂量效应下栅隧穿电流特性。本发明通过在不同偏置状态及不同辐照剂量随时间的变化，获得器件阈值电压，再将变化后的阈值电压代入栅隧穿电流的经验公式中进行模拟仿真，从而能够准确获得不同辐照总剂量下栅隧穿电流。

本发明授权一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种总剂量作用下栅隧穿电流仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤10，基于TCADSentaurus对SOINMOS器件进行三维器件结构建模，生成SOINMOS三维器件结构模型；步骤20，通过Sentaurus将所述SOINMOS三维器件结构模型的栅介质材料参数文件进行修改，以在Sdevice中的Physics部分添加Radiation模型并激活Radiation模型，并设置所述SOINMOS三维器件结构模型的辐照偏置状态；步骤30，设置辐照剂量率和多个不同的辐照时间，对所述SOINMOS三维器件结构模型进行辐照总剂量仿真，提取不同辐照剂量下对应的阈值电压Vth；步骤40，将所述阈值电压Vth输入栅隧穿电流经验公式中进行模拟仿真，得到总剂量效应下栅隧穿电流特性；所述栅隧穿电流经验公式为：其中，Ig为栅隧穿电流，W为器件栅宽，L为器件栅长，为模型修正因子； TWKB为电子穿越栅介质达到栅电极的隧穿概率，εox为栅介质相对介电常数，tox为栅介质厚度，为栅介质与硅之间初始势垒高度，为Si与SiO2之间势垒高度，为栅介质与硅之间有效势垒高度，Vox为栅介质上电压，Vox＝Vg-Vth，Vg为栅上施加电压，Vth为器件阈值电压，N为栅界面载流子浓度，mox为电子有效质量，Eox为栅上施加电场，h为普朗克常量，q为元电荷带电量，α为拟合系数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。