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龙图腾网恭喜华天科技(昆山)电子有限公司申请的专利一种优先形成重布线层的硅基扇出型3D封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310384253.2，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种优先形成重布线层的硅基扇出型3D封装结构及方法是由付东之;马书英;仲晓羽设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优先形成重布线层的硅基扇出型3D封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种优先形成重布线层的硅基扇出型3D封装结构及方法，所述结构包括：硅片、硅片正面依次设置的第一介电层、第一钝化层、第一重布线层和第一芯片，所述第一芯片通过塑封体进行封装，所述硅片的背面还嵌入有第二芯片，所述硅片的背面及第二芯片的表面依次设置有第二介电层、干膜材料、第二钝化层和第二重布线层。本发明在平整度很高的硅片表面预先制备重布线层，由于硅片表面的平整度较高，有利于形成精细的重布线层，再贴装高IO密度功能芯片，同时背面嵌入低IO密度芯片，可实现高IO密度芯片与低IO密度芯片的三维堆叠封装。

本发明授权一种优先形成重布线层的硅基扇出型3D封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种优先形成重布线层的硅基扇出型3D封装结构，其特征在于，包括：硅片，所述硅片制作有硅通孔，硅通孔内填充导电柱，所述硅片的背面还刻蚀有凹槽结构；第一介电层，所述第一介电层沉积在硅片的正面；第一钝化层，所述第一钝化层设置在第一介电层上；第一重布线层，所述第一重布线层设置在第一钝化层上；第一芯片，所述第一芯片贴装在第一重布线层上，第一芯片与第一重布线层及导电柱导通；塑封体，所述塑封体位于第一重布线层上，将第一芯片封装在内部；第二芯片，所述第二芯片嵌入在硅片背面的凹槽内；第二介电层，所述第二介电层沉积在硅片的背面以及导电柱与硅通孔内壁之间的间隙内；干膜材料，所述干膜材料覆盖在第二介电层及第二芯片的表面，且填充满第二芯片与凹槽之间的间隙；第二钝化层，所述第二钝化层设置在干膜材料上；第二重布线层，所述第二重布线层设置在第二钝化层上，且第二重布线层的表面制作有焊点；所述优先形成重布线层的硅基扇出型3D封装结构的方法包括以下步骤：S1：在硅片的正面沉积第一介电层；S2：在第一介电层上依次制备第一钝化层和第一重布线层，在第一重布线层的最表面形成焊盘；S3：在第一重布线层的表面贴装已经形成焊点的第一芯片；S4：通过塑封体对第一芯片进行封装；S5：对硅片的背面进行减薄，减薄后刻蚀出硅通孔，并在硅通孔的内壁及硅片的背面沉积第二介电层；S6：将硅通孔内填满金属材料，形成导电柱，导电柱与第一重布线层及第一芯片导通；S7：采用刻蚀工艺将硅片的背面刻蚀出凹槽结构；S8：在凹槽结构内嵌入已经形成焊盘的第二芯片；S9：采用干膜材料覆盖到第二介电层上并填充满第二芯片与凹槽结构之间的缝隙，其中第二芯片的焊盘及导电柱的位置处形成开口；S10:在干膜材料上制备第二钝化层，并在第二钝化层上制备第二重布线层，最后在第二重布线层的表面制备焊点。

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