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摘要：本发明公开了一种抗干扰和快建立的基准电压缓冲电路，属于集成电路技术领域。该基准电压缓冲电路包括闭环参考电压产生电路和开环输出驱动电路；所述闭环参考电压产生电路包括滤波电路、运算放大器A1、源级跟随器、电流镜电路和断电开关，所述滤波电路的一端电连接于参考电压输入VREFN_IN、另一端电连接于所述运算放大器A1的输入端，所述运算放大器A1的输出端电连接于所述电流镜电路，所述电流镜电路与所述断电开关电连接；所述开环输出驱动电路包括电容阵列，所述电容阵列的一端分别与源级跟随器和电流镜电路电连接、另一端与参考电压输出VREFN_OUT电连接。本发明能够有效提高基准电压缓冲电路的抗干扰能力和加快基准电压缓冲电路的恢复建立速度。

主权项：1.一种抗干扰和快建立的基准电压缓冲电路，其特征在于，包括与参考电压输入VREFN_IN电连接的闭环参考电压产生电路以及与参考电压输出VREFN_OUT电连接的开环输出驱动电路；所述闭环参考电压产生电路包括滤波电路、运算放大器A1、源级跟随器、电流镜电路和断电开关，所述滤波电路的一端电连接于所述参考电压输入VREFN_IN、另一端电连接于所述运算放大器A1的输入端，所述运算放大器A1的输出端电连接于所述电流镜电路，所述电流镜电路与所述断电开关电连接；所述开环输出驱动电路包括电容阵列，所述电容阵列的一端分别与源级跟随器和电流镜电路电连接、另一端与所述参考电压输出VREFN_OUT电连接；所述源级跟随器包括NMOS管NM2和NMOS管NM3，所述NMOS管NM2的栅极与所述运算放大器A1之间设有第二节点NODE2，所述第二节点NODE2与所述运算放大器A1的输出端相连接；所述电流镜电路包括NMOS管NM4、NMOS管NM6、电阻R2、NMOS管NM7和NMOS管NM8，所述NMOS管NM2的源极和所述NMOS管NM7的漏极相连接，所述NMOS管NM7的源极与地连接，所述NMOS管NM2的栅极与所述第二节点NODE2相连接，所述NMOS管NM3的源极和所述NMOS管NM8的漏极相连接，所述NMOS管NM4的漏极与偏置电流源连接，所述NMOS管NM4的源极与所述NMOS管NM6的漏极相连接，所述NMOS管NM8的源极与地连接，所述NMOS管NM3的栅极与所述第二节点NODE2相连接，所述电阻R2连接于所述NMOS管NM6的栅极和所述NMOS管NM7的栅极之间，所述NMOS管NM2的漏极和所述NMOS管NM3的漏极共同连接于外部电源VDD；所述断电开关包括NMOS管NM1和NMOS管NM5，所述NMOS管NM1的漏极与所述第二节点NODE2相连接、源极接地，所述NMOS管NM5的漏极与NMOS管NM6的栅极相连接、源极接地；所述电容阵列包括电容C2、电容C3和电容C4，所述电容C2的上极板分别与所述电容C3的下极板和所述NMOS管NM2的栅极相连接，所述电容C2的下极板与所述电容C4的下极板相连接，所述电容C3的上极板分别与所述NMOS管NM3的源极、所述NMOS管NM8的漏极以及与所述参考电压输出VREFN_OUT连接，所述电容C3的下极板分别与所述NMOS管NM2的栅极、所述第二节点NODE2、所述NMOS管NM3的栅极以及所述NMOS管NM1的漏极相连接，所述电容C4的上极板与所述NMOS管NM3的源极、所述NMOS管NM8的漏极以及所述参考电压输出VREFN_OUT相连接，所述电容C4的下极板分别与所述NMOS管NM7的栅极、所述NMOS管NM8的栅极以及所述电阻R2相连接。

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百度查询： 芯聚威科技(成都)有限公司 一种抗干扰和快建立的基准电压缓冲电路