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摘要：公开了对电磁交叉耦合有增加的电阻的内部屏蔽微电子封装件，还公开了用于制造这种微电子封装件的方法。在实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件包括具有前侧和纵轴的基板。第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧，而第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开。内部屏蔽结构包括屏蔽壁或由屏蔽壁组成，所述屏蔽壁如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间。所述内部屏蔽壁结构至少部分地由磁导材料构成，这减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合。
主权项：1.一种内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，包括：基板，所述基板具有前侧和纵轴；第一微电子装置，所述第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧；第二微电子装置，所述第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开；以及内部屏蔽结构，所述内部屏蔽结构包括如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的屏蔽壁，所述内部屏蔽结构至少部分地由磁导材料构成，从而减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合，其中，所述内部屏蔽结构包括：电屏蔽层；以及磁屏蔽层，所述磁屏蔽层具有比所述电屏蔽层的磁导率更大的磁导率并且具有比所述电屏蔽层的电导率更小的电导率。
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百度查询： 恩智浦美国有限公司 内部屏蔽微电子封装件和其制造方法
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