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摘要：本申请公开了一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法，属于N型碳化硅单晶材料制备技术领域。该4H碳化硅晶棒的厚度为15mm以上，所述4H碳化硅晶棒任意位置处的电阻率大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，且所述4H碳化硅晶棒面内的电阻率差值在0.5mΩ·cm以下，所述4H碳化硅晶棒的硅面与碳面的电阻率差值在1mΩ·cm以下。该4H碳化硅晶棒的电阻率低于现有的产品，且面内及轴向电阻率分布更均匀，有利于器件整体导通电阻的降低，为提高4H碳化硅晶片质量及器件性能提供了新的方案。
主权项：1.一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒，其特征在于，所述4H碳化硅晶棒的厚度为15mm以上，所述4H碳化硅晶棒在任意位置处的电阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，所述4H碳化硅晶棒面内的电阻率差值在0.5mΩ·cm以下，所述4H碳化硅晶棒的硅面与碳面的电阻率差值在1mΩ·cm以下。
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百度查询： 山东天岳先进科技股份有限公司 一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备方法
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