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摘要：提供了用于采用混合PIN或PN硒化铅PbSe结的光电检测器的方法和系统。在一些示例中，PbSe结可以包括一个或多个半导体层，包括n型层、n+型层、pi型层、和或p+型层，作为非限制性示例列表。产生采用PbSePIN或PN结的光电检测器。还公开了用于制备用于检测电磁能量例如，中波长红外MWIR的光敏PbSe半导体层的方法。
主权项：1.一种形成具有硒化铅PbSe结的光电检测器的方法，所述方法包括：制备衬底；形成离子注入层；经由各种沉积技术，比如脉冲激光沉积PLD、分子束外延MBE、或金属有机化学气相沉积MOCVD，在所述衬底和所述离子注入层上沉积第一重度掺杂硒化铅PbSe层；经由化学浴沉积CBD工艺或其他沉积技术，在所述第一层上沉积第二层轻度掺杂或未掺杂PbSe层；经由CBD工艺或其他沉积技术，在与所述第一层相对的第二层上沉积第三重度掺杂PbSe层；在所述衬底、所述离子注入层、所述第一层、所述第二层或所述第三层中的一者或多者周围形成侧壁；以及在所述第一层、所述第二层或所述第三层中的一者或多者上形成一个或多个导体。
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百度查询： 伊利诺斯工具制品有限公司 用于混合PIN PbSe中波长红外（MWIR）光电检测器的系统和方法
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