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摘要:装置向腔室的处理容积提供等离子体。所述装置可包括多个等离子体源,每个等离子体源至少具有介电管入口和气体入口,所述介电管入口至少部分地由被配置为连接到RF功率以产生等离子体的导电管包围,所述气体入口定位成与所述介电管入口相对,所述气体入口用于处理气体和介电管,所述介电管直接连接到所述多个等离子体源中的每一者,其中所述介电管被配置为至少部分地包含由多个等离子体源产生的等离子体以及经由所述介电管中的孔释放在所述等离子体中产生的自由基。
主权项:1.一种具有等离子体源的装置,包括:腔室,所述腔室具有在基板支撑件上方提供处理容积的底部、盖和壁;以及多个等离子体源,所述多个等离子体源经由介电管直接互连,其中所述介电管至少部分地延伸到所述处理容积中,并且其中所述多个等离子体源被配置为在所述介电管的壁中产生表面波,所述表面波支持所述介电管内的等离子体产生。
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百度查询: 应用材料公司 用于半导体腔室的远程表面波传播
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