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摘要：本发明公开了改善晶球底部的底切现象的方法，属于晶圆封装技术领域。本发明通过采用等离子体蚀刻这一干法蚀刻方式取代H2O2湿式化学蚀刻，由于干法蚀刻中的离子是物理撞击目标，没有选择性，属于非等向性蚀刻，因此无底切现象产生，本发明在设计掩膜版时，将掩模版的凸块图形的尺寸扩大为凸块尺寸+底切宽度，并根据湿法蚀刻属于等相性蚀刻的原理，在TiW层蚀刻之后再增加一次Au层蚀刻制程，通过控制蚀刻量，将凸块的尺寸蚀刻到与TiW层尺寸一致，这样就相当于没有了底切，从而消除了底切现象。
主权项：1.改善晶球底部的底切现象的方法，其特征在于：包括如下步骤：提供基板；于所述基板上溅镀TiWAu层；于所述TiWAu层上涂覆光刻胶；进行显影，对所述基板进行曝光，曝光时掩模版上凸块图形的尺寸与凸块的尺寸一致或扩大为凸块尺寸+底切宽度；通过坚膜烘烤固化所述光刻胶；对所述光刻胶进行等离子体处理；通过电镀在光刻胶图案的开口区域镀Au层，形成Au凸块；通过蚀刻除去Au层；对TiW层进行蚀刻除去TiW层，以消除底切现象；进行退火处理；对产品进行最终质量检测，得到封装产品。
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