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摘要：本专利公开了一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，所述外延片包括：衬底；AlNAlGaN超晶格应力缓冲层，形成在所述衬底上；N极半导体层，所述N极半导体层包括第一n‑AlGaN层、n‑GaN层以及第二n‑AlGaN层；所述第一n‑AlGaN层、n‑GaN层和第二n‑AlGaN层从所述超晶格应力缓冲层向上依次设置。通过上述结构的N极设计能够有效改善深紫外LED外延片N极的欧姆接触。
主权项：1.一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，其特征在于，所述外延片包括：衬底；AlNAlGaN超晶格应力缓冲层，形成在所述衬底上；N极半导体层，所述N极半导体层包括第一n-AlGaN层、n-GaN层以及第二n-AlGaN层；所述第一n-AlGaN层、n-GaN层和第二n-AlGaN层从所述超晶格应力缓冲层向上依次设置，其中，在所述AlNAlGaN超晶格应力缓冲层上生长高Al组分的所述第一n-AlGaN层；再由高Al组分的所述第一n-AlGaN层渐变至n-GaN层；再由所述n-GaN层渐变至高Al组分的第二n-AlGaN层，所述第二n-AlGaN层Al组分与第一n-AlGaN层相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种可改善n型欧姆接触的深紫外LED外延片
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