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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。
主权项：1.基于Nb2C-氧化锌忆阻器的人工突触器件，其特征在于，由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；其中阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，所述阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；所述基于Nb2C-氧化锌忆阻器的人工突触器件的制备过程，包括：S1，采用直流磁控溅射法或者电子束蒸发在衬底层上沉积底电极，形成底电极层；S2，采用射频磁控溅射法在所述底电极层上沉积氧化锌，形成氧化锌层；S3，将Nb2C粉末与二甲基亚砜溶液充分搅拌混合，得到Nb2C混合溶液；并采用旋涂或喷涂工艺将Nb2C混合溶液涂在氧化锌层上，随后烘干，形成二维Nb2C层；S4，将掩膜板贴在所述二维Nb2C层上，采用直流磁控溅射法在二维Nb2C层上淀积形成顶电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 基于Nb2C-氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法
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