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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

摘要：本申请公开了一种嵌入式微控制器及其数据读写方法，处理器能够将待存储于EEPROM的数据写入FLASH中有效的存储单元，因FLASH具有非易失性，故能确保在嵌入式微控制器掉电后该数据不会丢失。由此，通过将数据存储在FLASH中可以达到存储在EEPROM中的效果。而在嵌入式微控制器初始化后，处理器能够将初始化前有效的存储单元中存储的数据写入RAM中以供处理器读取，由于RAM与EEPROM的读写方式相同，因此可以确保处理器通过访问RAM达到访问EEPROM的效果。如此，即可模拟实现EEPROM的功能。而无需额外新增EEPROM，因此有效降低了嵌入式微控制器的硬件成本。

主权项：1.一种数据读写方法，其特征在于，应用于嵌入式微控制器的处理器，所述嵌入式微控制器还包括：随机存取存储器RAM和闪速存储器FLASH，所述FLASH包括按序排列的多个存储单元，所述多个存储单元中每个存储单元均存储有标志值；所述方法包括：在所述嵌入式微控制器初始化后，将所述多个存储单元中第一存储单元存储的第一数据写入所述RAM，以供处理器读取，其中所述第一存储单元为所述嵌入式微控制器初始化前所述多个存储单元中有效的存储单元，所述有效的存储单元是指：最近一次写入数据的存储单元，且所述有效的存储单元的标志值为所述多个存储单元的标志值中的极值；获取到待存储于EEPROM的第二数据后，将所述第二数据写入所述RAM，并从所述多个存储单元中获取有效的第二存储单元；若所述第二存储单元的剩余容量小于容量阈值，则将所述RAM中存储的多个数据，以及所述多个数据中每个数据的目标地址均写入所述第二存储单元的下一个存储单元，所述多个数据为所述RAM中需要存储于所述EEPROM的所有数据；更新所述下一个存储单元的标志值，以将所述下一个存储单元作为所述多个存储单元中有效的存储单元，更新后的所述下一个存储单元的标志值为所述多个存储单元的标志值中的极值；其中，所述多个数据包括所述第二数据，每个所述数据的目标地址为所述数据在所述EEPROM中的EEPROM地址，或所述RAM中与所述数据的EEPROM地址对应的RAM地址。

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