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申请/专利权人：源芯半导体股份有限公司
摘要：本发明提供一种瞬态电压抑制元件，包括基底与第一瞬态电压抑制器。基底包括元件区与密封环区。密封环区环绕元件区。第一瞬态电压抑制器位于元件区中。第一瞬态电压抑制器包括具有第一导电型的第一井区、具有第二导电型的第一掺杂区以及具有第二导电型的第二掺杂区。第一井区位于元件区的基底中。第一掺杂区位于第一井区中。第二掺杂区位于第一井区中。具有第二导电型的第三掺杂区位于密封环区的基底中，第三掺杂区与第一掺杂区电性连接。
主权项：1.一种瞬态电压抑制元件，其特征在于，包括：基底，包括元件区、密封环区以及切割道区，所述密封环区环绕所述元件区，所述切割道区与所述密封环区相邻，其中所述密封环区位于所述元件区与所述切割道区之间；第一瞬态电压抑制器，位于所述元件区中，所述第一瞬态电压抑制器包括：具有第一导电型的第一井区，位于所述元件区的所述基底中；具有第二导电型的第一掺杂区，位于所述第一井区中；以及具有所述第二导电型的第二掺杂区，位于所述第一井区中；具有所述第二导电型的第三掺杂区，位于所述密封环区的所述基底中，其中所述第三掺杂区与所述第一掺杂区电性连接；以及具有所述第二导电型的第四掺杂区，位于所述切割道区的所述基底中，其中所述第四掺杂区位于所述第三掺杂区旁且互相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 源芯半导体股份有限公司 瞬态电压抑制元件
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