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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：提供了用于半导体制造中的选择性抑制控制的系统和方法。一种示例性方法包括提供包括具有特征内部和一个或多个特征开口的特征的衬底。在特征内部的表面上形成成核层。基于差异化抑制轮廓，在成核层的表面上选择性地形成非保形本体层以留下由非保形本体层覆盖的成核层的区域，以及未覆盖的成核层的区域。在成核层的覆盖和未覆盖区域上选择性地形成抑制层。根据差异化抑制轮廓将钨沉积在特征中。
主权项：1.一种用于衬底处理中的选择性抑制控制的方法，所述方法包括：提供包括具有一个或多个特征开口和特征内部的特征的衬底；在所述特征内部的表面上形成成核层；在所述成核层的表面上沉积非保形本体层以留下由所述非保形本体层覆盖的所述成核层的区域，以及未覆盖的所述成核层的区域；在所述成核层的覆盖区域和未覆盖区域上形成抑制层；以及在所述特征中沉积钨，其中，所述钨优先沉积在形成于所述成核层的所述未覆盖区域上的所述抑制层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 带有抑制控制的钨特征填充
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