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申请/专利权人：美蓓亚功率半导体株式会社
摘要：本发明提供一种能够减小RC‑IGBT的二极管部的p‑body层面积来抑制空穴注入、提高恢复特性的半导体器件和功率转换装置。本发明的半导体器件100RC‑IGBT具有第一body层、第二body层5、设置在第一body层与第二body层之间的第一沟槽13、在第一body层一侧的侧壁上隔着栅极绝缘膜形成的第一栅极电极7、和在第二body层一侧的侧壁上隔着栅极绝缘膜形成的第二栅极电极16，并且第一栅极电极与所述第二栅极电极之间至少隔着第一绝缘膜14a而间隔开。二极管具有第一导电类型的第三body层和第四body层5以及设置在第三body层与第四body层之间的第二沟槽13，第二沟槽13具有在第三body层一侧的侧壁上隔着绝缘膜形成的第一电极10和在第四body层一侧的侧壁上隔着绝缘膜形成的第二电极17，并且第一电极与第二电极之间至少隔着第二绝缘膜14a而间隔开。
主权项：1.一种半导体器件，其是在1个芯片内具有IGBT部和二极管部的RC-IGBT，其特征在于：所述IGBT部具有第一导电类型的第一body层和第二body层以及设置在所述第一body层与所述第二body层之间的第一沟槽，所述第一沟槽具有在所述第一body层一侧的侧壁上隔着栅极绝缘膜形成的第一栅极电极，和在所述第二body层一侧的侧壁上隔着栅极绝缘膜形成的第二栅极电极，并且，所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间至少隔着第一绝缘膜而间隔开，所述二极管部具有所述第一导电类型的第三body层和第四body层以及设置在所述第三body层与所述第四body层之间的第二沟槽，所述第二沟槽具有在所述第三body层一侧的侧壁上隔着绝缘膜形成的第一电极，和在所述第四body层一侧的侧壁上隔着绝缘膜形成的第二电极，并且，所述第一电极与所述第二电极之间至少隔着第二绝缘膜而间隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美蓓亚功率半导体株式会社 半导体器件和功率转换装置
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