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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器。所述背照式图像传感器中，外围电路区的像素基底中形成有至少一个沟槽填充结构，所述沟槽填充结构包括从所述像素基底背面贯穿部分所述像素基底而形成的应力释放沟槽以及填充在所述应力释放沟槽内的介质材料，金属导线形成于所述外围电路区的像素基底背面。所述沟槽填充结构对于外围电路区的像素基底背面区域的应力可以起到阻挡和缓释作用，降低在金属导线的隔断槽内产生泡状缺陷的风险，有助于提高背照式图像传感器的质量和可靠性。
主权项：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：像素基底，包括像素区和位于所述像素区外围的外围电路区，多个光电传感区域形成于所述像素区的像素基底内，每个所述光电传感区域用于感测从所述像素基底的背面进入的光线；金属导线，形成于所述外围电路区的像素基底背面；以及至少一个沟槽填充结构，形成于所述外围电路区的像素基底中，所述沟槽填充结构包括从所述像素基底背面贯穿部分所述像素基底而形成的应力释放沟槽以及填充在所述应力释放沟槽内的介质材料，至少一个所述应力释放沟槽的长度方向与邻近的所述金属导线的长度方向相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 背照式图像传感器
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