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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层具有V型坑，在所述V型坑上沉积复合层，所述复合层包括依次沉积在所述V型坑上的Si3N4层、BN层和Mg3N2BGaN超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能够避免V型坑内位错形成非辐射复合中心，减少发光二极管漏电，提升发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层具有V型坑，在所述V型坑上沉积复合层，所述复合层填平所述V型坑，所述复合层包括依次沉积在所述V型坑上的Si3N4层、BN层和Mg3N2BGaN超晶格层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、LED
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