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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供一种复合层及其制备方法、外延片、发光二极管，涉及半导体技术领域，该复合层包括过渡层、层叠设置在过渡层上的多个超晶格结构层，超晶格结构层包括周期性交替生长的垒层和阱层；其中，过渡层和垒层均为Si掺杂氮化物层，阱层为非掺杂的氮化物层，过渡层与垒层的厚度比值大于10:1，过渡层与垒层的Si掺杂浓度比值大于3:1，沿靠近过渡层的一端向另一端的方向，不同超晶格结构层中的垒层的Si掺杂浓度逐层减小、阱层的禁带宽度逐层减小。本发明实现了发光效率的提升。
主权项：1.一种复合层，其特征在于，包括过渡层、层叠设置在所述过渡层上的多个超晶格结构层，所述超晶格结构层包括周期性交替生长的垒层和阱层；其中，所述过渡层和所述垒层均为Si掺杂氮化物层，所述阱层为非掺杂的氮化物层，所述过渡层与所述垒层的厚度比值大于10:1，所述过渡层与所述垒层的Si掺杂浓度比值大于3:1，沿靠近所述过渡层的一端向另一端的方向，不同所述超晶格结构层中的所述垒层的Si掺杂浓度逐层减小、所述阱层的禁带宽度逐层减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 复合层及其制备方法、外延片、发光二极管
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