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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备，该半导体器件包括：基底；位于基底上的半导体结构；位于基底上的密封环，密封环环绕半导体结构，并包括多个主体壁、以及至少一个衔接壁，衔接壁位于相邻的、延伸方向不同的两个主体壁之间，并对该两个主体壁的端部进行衔接；其中，密封环包括背离基底的顶端部，且衔接壁中的顶端部在衔接壁的延伸方向上至少有一部分的第一壁厚度，小于主体壁中的顶端部的第二壁厚度，从而能够改善存储器件中膜层堆叠异常的问题，以提高存储器件的良率及可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的半导体结构；位于所述基底上的密封环，所述密封环环绕所述半导体结构，并包括多个主体壁、以及至少一个衔接壁，所述衔接壁位于相邻的、延伸方向不同的两个所述主体壁之间，并对相邻的、延伸方向不同的两个所述主体壁的端部进行衔接；其中，所述密封环包括背离所述基底的顶端部，且所述衔接壁中的所述顶端部在所述衔接壁的延伸方向上至少有一部分的第一壁厚度，小于所述主体壁中的所述顶端部的第二壁厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备
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