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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及具有由富陷阱层提供的电性隔离的III‑V族化合物半导体层堆叠，揭示了包括电性隔离的半导体结构以及形成包括电性隔离的半导体结构的方法。在由单晶半导体材料组成的半导体衬底上形成层堆叠。该层堆叠包括由III‑V族化合物半导体材料组成的半导体层。在该半导体衬底中形成多晶层。该多晶层横向延伸于该层堆叠下方。
主权项：1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，包含单晶半导体材料，该半导体衬底具有顶部表面；层堆叠，位于该半导体衬底的该顶部表面上，该层堆叠包括由第一III-V族化合物半导体材料组成的第一层；以及多晶层，位于该半导体衬底中，该多晶层横向延伸于该层堆叠下方，该多晶层包括具有第一厚度的第一区段以及具有大于该第一厚度的第二厚度的第二区段，且该多晶层的该第二区段具有与该半导体衬底的该顶部表面基本上重合的边界。
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权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有由富陷阱层提供的电性隔离的III-V族化合物半导体层堆叠
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