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申请/专利权人：广州增芯科技有限公司
摘要：本发明提供了一种矩阵式压力传感器的制备方法，其利用了IC工艺，该制备方法包括：提供第一衬底以及第二衬底；在第一衬底的表面形成第一键合介质；通过第一键合介质，将第一衬底和第二衬底键合；在第二衬底的表面形成孔柱，孔柱贯穿第二衬底以及第一键合介质；在孔柱的侧壁沉积隔离层；在孔柱内填充应变层，应变层的厚度高于第一键合介质的厚度；去除隔离层以及第一键合介质，形成空腔；在孔柱位于第二衬底的位置形成孔塞，密封空腔。本发明的制作过程工艺可靠稳定，且在衬底上形成的传感器点阵密度较高，兼顾降低传感器空间的要求。
主权项：1.一种矩阵式压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供第一衬底以及第二衬底；步骤S2：在所述第一衬底的表面形成第一键合介质；步骤S3：通过所述第一键合介质，将所述第一衬底和所述第二衬底键合；步骤S4：在所述第二衬底的表面形成孔柱，所述孔柱贯穿所述第二衬底以及所述第一键合介质；步骤S5：在孔柱的侧壁沉积隔离层；步骤S6：在所述孔柱内填充应变层，所述应变层的厚度高于所述第一键合介质的厚度；步骤S7：去除所述隔离层以及所述第一键合介质，形成空腔；步骤S8：在所述孔柱位于所述第二衬底的位置形成孔塞，密封所述空腔。
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权利要求：
百度查询： 广州增芯科技有限公司 矩阵式压力传感器的制备方法
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