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申请/专利权人：同济大学
摘要：本发明涉及一种阴离子插层硫族化合物的相变材料及其制备方法和应用。本发明通过阴离子插层实现硫族化合物相变，具体来说，通过将非金属单质溶解在乙二胺中，形成阴离子前驱体溶液。将硫族化合物与阴离子前驱体溶液混合，并进行超声处理，使乙二胺携带的阴离子插层进入硫族化合物层间。这种方法不仅能够撑大硫族化合物的层间距，引发其从2H相到1T相的相变，还能保证材料的结构稳定性。通过X射线衍射、Raman光谱等手段表征相变结果。研究结果表明，阴离子插层法能够有效实现2H‑1T相变，并显著提升材料的导电性和电化学性能，作为锂离子负极材料高容量、大倍率和长循环的优异储锂性能。
主权项：1.一种阴离子插层硫族化合物的相变材料的制备方法，其特征在于，通过乙二胺溶解非金属单质形成阴离子前驱体溶液，将阴离子前驱体溶液与硫族化合物混合，引发硫族化合物发生相变，得到阴离子插层硫族化合物的相变材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 同济大学 一种阴离子插层硫族化合物的相变材料及其制备方法和应用
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