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申请/专利权人：江苏林洋太阳能有限公司
摘要：本发明涉及具有自限制膜层结构的钝化接触电池及制备方法，且包括步骤：选取单晶硅片进行表面预处理，使得正面和背面分别形成绒面；在硅片正面形成硼掺杂发射极，背面进行抛光处理以形成平面；在平面上覆盖形成隧穿氧化层及背面掺杂层；形成钝化减反射膜层；形成金属电极。本发明一方面碳掺杂得到均匀、致密、无空洞的背面金属电极，氢掺杂的多晶硅表面张力提高、水接触角增大，使得电镀液难以在氢磷掺杂多晶硅层上附着，且多晶硅表面存在过量的氢泡滞留，降低了背面金属电极沉积地可能性；另一方面自限制膜层结构简化了电镀铜工艺，同时背面无需形成钝化减反射膜层，简化结构、节约成本。
主权项：1.一种具有自限制膜层结构的钝化接触电池的制备方法，其包括如下步骤：1选取单晶硅片进行表面预处理，使得正面和背面分别形成绒面；2在硅片正面形成硼掺杂发射极，背面进行抛光处理以形成平面；3在平面上覆盖形成隧穿氧化层及背面掺杂层；4形成钝化减反射膜层；5形成金属电极，其特征在于，步骤3包括：3.1、在平面上依次生长隧穿氧化层和磷原位掺杂的多晶硅层；3.2、退火处理，多晶硅层中的微晶硅相会转变为多晶硅相完成晶化，同时原位掺杂的磷原子被激活形成替位掺杂的磷掺杂的多晶硅层；3.3、在硅片背面金属区域的磷掺杂多晶硅层注入碳原子形成碳磷掺杂多晶硅层；3.4、在硅片背面非金属区域的磷掺杂多晶硅层注入氢原子形成氢磷掺杂多晶硅层，其中碳磷掺杂多晶硅层和氢磷掺杂多晶硅层的厚度小于磷掺杂多晶硅层的厚度，且磷掺杂多晶硅层、碳磷掺杂多晶硅层、氢磷掺杂多晶硅层三者构成内外分布的自限制膜层结构的背面掺杂层。
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