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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及包含异构沟道的晶体管及相关装置、电子系统及方法。一种晶体管包括：第一导电接触件；异构沟道，其在所述第一导电接触件上方包括至少一种氧化物半导体材料；第二导电接触件，其在所述异构沟道上方；及栅极电极，其横向邻近所述异构沟道。还揭示一种半导体装置、一种形成半导体装置的方法、一种存储器装置及一种电子系统。
主权项：1.一种存储器装置，其包括：导电线；导电接触件，其在所述导电线上；支柱结构，其在所述导电接触件上，每一支柱结构包括：氧化物半导体沟道，其包括：区域；及至少一个额外区域，其具有与所述区域不同的材料组合物及一或多种元素的不同原子浓度中的一或多者；及另一导电接触件，其在所述氧化物半导体沟道上；栅极电极，其横向邻近所述支柱结构；及电介质材料，其介于所述栅极电极与所述支柱结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 包含异构沟道的晶体管及相关装置、电子系统及方法
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