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可降低接触电阻的异质结电池的制备方法及异质结电池 

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申请/专利权人:晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司

摘要:本发明涉及一种可降低接触电阻的异质结电池的制备方法及异质结电池,属于太阳能电池制造技术领域。包括:对单晶硅片进行制绒,形成金字塔绒面结构,作为晶硅衬底;在晶硅衬底正面依次沉积正面本征非晶硅层和N型掺杂层;在晶硅衬底背面依次沉积背面本征非晶硅层和P型掺杂层;P型掺杂层的沉积方法包括进行微晶预处理、沉积微晶种子层、沉积微晶层和沉积非晶硅封盖层;分别在N型掺杂层的正面和P型掺杂层的背面沉积正面透明导电薄膜层和背面透明导电薄膜层;分别在正面透明导电薄膜层和背面透明导电薄膜层上制备负极金属电极和正极金属电极。本发明可大幅降低异质结电池的接触电阻。

主权项:1.一种可降低接触电阻的异质结电池的制备方法,其特征在于,包括:S1,对单晶硅片进行制绒,形成金字塔绒面结构,作为晶硅衬底1;S2,在所述晶硅衬底1正面依次沉积正面本征非晶硅层2和N型掺杂层3;S3,在所述晶硅衬底1背面依次沉积背面本征非晶硅层6和P型掺杂层7;其中,P型掺杂层7的沉积方法包括进行微晶预处理、沉积微晶种子层701、沉积微晶层702和沉积非晶硅封盖层703;S4,分别在所述N型掺杂层3的正面和P型掺杂层7的背面沉积正面透明导电薄膜层4和背面透明导电薄膜层8;S5,分别在正面透明导电薄膜层4和背面透明导电薄膜层8上制备负极金属电极5和正极金属电极9。

全文数据:

权利要求:

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