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EC-PEC双模式适配体传感器及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:江苏大学

摘要:本发明提供了EC‑PEC双模式适配体传感器及其制备方法和应用,属于传感器技术领域。本发明的制备方法包括:ZnONRsFTO电极的制备、AuNPsZnONRsFTO电极的制备、MCHAptAuNPsZnONRsFTO电极的制备、cDNAMCHAptAuNPsZnONRsFTO电极的制备和EC‑PEC双模适配体传感器的制备。本发明降低了单一信号的定量分析可能会受到环境因素干扰的影响,提高了检测的准确度。利用Apt与DEHP之间的选择性识别,分别建立EC信号、PEC信号与DEHP浓度对数的线性关系,实现DEHP的高灵敏、高选择性分析。

主权项:1.EC-PEC双模式适配体传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、将ZnO种子层修饰的FTO电极置于ZnO生长液中进行水热反应,烘干,得到ZnONRsFTO电极;步骤2、将AuNPs分散液修饰到步骤1得到的ZnONRsFTO电极表面,干燥后,获得AuNPsZnONRsFTO电极;步骤3、在步骤2获得的AuNPsZnONRsFTO电极的表面依次修饰巯基化Apt、6-巯基-1-己醇MCH,干燥后,淋洗电极表面,获得MCHAptAuNPsZnONRsFTO电极;步骤4、将cDNA修饰到步骤3获得的MCHAptAuNPsZnONRsFTO电极表面,获得cDNAMCHAptAuNPsZnONRsFTO电极;步骤5、将步骤4获得的cDNAMCHAptAuNPsZnONRsFTO电极浸泡于亚甲基蓝MB中,干燥后淋洗,得到EC-PEC双模适配体传感器,标记为MBcDNAMCHAptAuNPsZnONRsFTO。

全文数据:

权利要求:

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