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申请/专利权人：重庆大学
摘要：本发明属于电光器件技术领域，具体涉及一种电光调制器及其制备方法和应用。本发明提供的电光调制器为马赫曾德尔电光调制器，包括对称且平行的双臂结构；其中任一单臂具有如下所述结构：所述电光调制器的任一单臂包括依次层叠设置的基底层、二氧化硅层和光电材料层；所述光电材料层的表面设置有地端电极、信号端电极和氮化硅光子晶体波导；所述氮化硅光子晶体波导位于地端电极和信号端电极之间，调制区长度为100～300μm；所述氮化硅光子晶体波导具有三角晶格晶体孔结构；所述二氧化硅层在垂直于氮化硅光子晶体波导的位置具有空腔结构。该电光调制器能够解决由于直接刻蚀传统光电薄膜材料引起的加工损耗、电光带宽和器件尺寸的限制问题。
主权项：1.一种电光调制器，其特征在于，所述电光调制器为马赫曾德尔电光调制器；所述马赫曾德尔电光调制器包括对称且平行的双臂结构；所述双臂结构的任一单臂具有如下所述结构：所述电光调制器的任一单臂包括依次层叠设置的基底层、二氧化硅层和光电材料层；所述光电材料层的表面设置有地端电极、信号端电极和氮化硅光子晶体波导；所述氮化硅光子晶体波导位于地端电极和信号端电极之间，并与地端电极和信号端电极接壤；所述氮化硅光子晶体波导具有垂直于基底的晶体孔结构；所述晶体孔结构为三角晶格晶体孔结构；所述电光调制器的调制区长度为100～300μm；所述二氧化硅层在垂直于氮化硅光子晶体波导的位置具有空腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种电光调制器及其制备方法和应用
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