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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于提高电容孔的大小均一性。该制备方法包括：在待刻蚀层上形成图案化的第一掩膜层，第一掩膜层包括沿第一方向间隔排布的多个第一芯轴结构，每个第一芯轴结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；形成第一侧墙和第一牺牲层；去除第一牺牲层和第一芯轴结构；形成第二掩膜层，第二掩膜层填充满第一侧墙所围成的区域，并位于第一侧墙的顶面上；图案化第二掩膜层，形成沿第二方向间隔排布的多个第二芯轴结构；形成第二侧墙和第二牺牲层；去除第二牺牲层和第二芯轴结构；以第一侧墙和第二侧墙作为掩膜，刻蚀待刻蚀层以形成电容孔。本公开用于提高电容孔的大小均一性。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在待刻蚀层上形成第一掩膜层，并图案化所述第一掩膜层，以在所述第一掩膜层内形成沿第一方向间隔排布的多个第一芯轴结构，每个所述第一芯轴结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述第一芯轴结构的侧面上形成第一侧墙，以及形成填充满所述第一侧墙所围成区域的第一牺牲层；去除所述第一牺牲层和所述第一芯轴结构，保留多个所述第一侧墙；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层填充满所述第一侧墙所围成的区域，并位于所述第一侧墙的顶面上；图案化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层内形成沿所述第二方向间隔排布的多个第二芯轴结构，每个所述第二芯轴结构沿所述第一方向延伸；在所述第二芯轴结构的侧面上形成第二侧墙，以及形成填充满所述第二侧墙所围成区域的第二牺牲层；去除所述第二牺牲层和所述第二芯轴结构，保留多个所述第二侧墙；以所述第一侧墙和所述第二侧墙作为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，以在所述待刻蚀层内形成电容孔。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法
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