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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。

主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室；基片支承台，其具有下部电极，设置于所述腔室内；高频电源，其构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而供给高频电力；和电源单元，其与所述下部电极电连接，构成为能够产生正极性的直流电压和负极性的直流电压，所述电源单元构成为：能够在所述腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中的第一期间中，停止对所述下部电极施加直流电压，能够在所述腔室内由所述蚀刻气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第一期间之后的第二期间中，将作为正极性的直流电压的第一直流电压施加到所述下部电极，能够为了对载置于所述基片支承台上的基片进行蚀刻，在所述腔室内由所述蚀刻气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第二期间之后的第三期间中，将作为负极性的直流电压的第二直流电压施加到所述下部电极，所述电源单元输出的直流电压从所述第二期间中的所述第一直流电压被连续地切换为所述第三期间中的所述第二直流电压，所述电源单元停止输出所述第一直流电压的所述第二期间的终止时刻与所述电源单元开始输出所述第二直流电压的所述第三期间的开始时刻是彼此相同的、连续的，所述电源单元构成为能够反复进行在所述第一期间中停止对所述下部电极施加直流电压的动作、在所述第二期间中对所述下部电极施加所述第一直流电压的动作和在所述第三期间中对所述下部电极施加所述第二直流电压的动作，所述高频电力具有27Mhz以上100MHz以下的频率，被供给到所述下部电极，所述第二直流电压的绝对值为3kV以上。

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