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申请/专利权人：无锡亮源激光技术有限公司
摘要：本申请公开了一种半导体激光器调Q电路及调Q方法，属于半导体激光器的相关技术领域。本申请提出了一种半导体激光器调Q电路及调Q方法，该方法采用了电源模块、射频场效应管和耦合升压器等关键技术，通过精确控制电路参数和特定器件的应用，实现了激光调Q过程中的高压窄脉冲输出，从而提高了激光器性能参数的调节范围和调节速度，增强了其输出功率的稳定性和可调性。此外，为了适应不同调Q晶体的需求，该技术还实现了高压幅值的可变，高压上升沿可变，能够满足不同应用场景下的要求。同时，采用了小型化设计和电磁对称布局等手段，使得调Q板尺寸更小、稳定性更高，从而进一步提升了半导体激光器调Q技术的应用范围和性能表现。
主权项：1.一种半导体激光器调Q电路，其特征在于，所述电路包括：电源模块（GS1）、驱动电路（U1）、射频场效应管（Q1）、第一充电限流功率无感电阻（R1）、第二功率无感电阻（R2）、第三功率无感电阻（R3）、第一高频电容（C1）、第二高频电容（C2）、耦合升压器（T1）、钳位二极管（D1）；所述电源模块（GS1）的输入端连接直流输入电源端（DC），所述电源模块（GS1）的输出端连接所述第一充电限流功率无感电阻（R1）的一端；所述第一高频电容（C1）和所述第二高频电容（C2）并联连接，且并联两端形成第一节点和第二节点；所述第二功率无感电阻（R2）和所述第三功率无感电阻（R3）并联连接，且并联两端形成第三节点和第四节点；所述第一节点连接所述第一充电限流功率无感电阻（R1）的另一端；所述第二节点连接所述第三节点；所述第四节点连接所述耦合升压器（T1）的一侧；所述钳位二极管（D1）和调Q晶体（Y1）分别并联在所述耦合升压器（T1）的另一侧，所述调Q晶体（Y1）为通过导线外接的器件；所述射频场效应管（Q1）的第一端连接所述第一节点，所述射频场效应管（Q1）的第二端接地，所述射频场效应管（Q1）的控制端连接所述驱动电路（U1）的信号输出端；所述驱动电路（U1）的信号输入端输入调Q脉冲信号。
全文数据：
权利要求：
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