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深紫外LED光源封装结构 

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申请/专利权人:厦门瑶光半导体科技有限公司

摘要:本发明提供一种深紫外LED光源封装结构,其包括绝缘基板、发光芯片、第一电极、第二电极和聚光结构,发光芯片设置在绝缘基板的上表面,第一电极和第二电极分别电连接于发光芯片的正极和负极,聚光结构设置在绝缘基板的上表面并覆盖发光芯片,其中,聚光结构的内侧和或外侧上设置有反射结构,反射结构用于将发光芯片射出的光线朝向远离第一表面的方向射出。借此设置,可聚集深紫外光线,极大提升杀菌消毒能力。

主权项:1.一种深紫外LED光源封装结构,其特征在于:所述深紫外LED光源封装结构包括:绝缘基板,具有相对的第一表面和第二表面;发光芯片,设置在所述绝缘基板的第一表面上,并具有正极和负极;第一电极,电连接于所述发光芯片的正极;第二电极,电连接于所述发光芯片的负极;聚光结构,设置在所述绝缘基板的第一表面上,并覆盖所述发光芯片;其中,所述聚光结构的内侧和或外侧上设置有反射结构,所述反射结构用于将所述发光芯片射出的光线朝向远离所述第一表面的方向射出;其中,所述第一电极与所述第二电极是从所述绝缘基板的第一表面贯通至第二表面;所述聚光结构呈漏斗形状,所述聚光结构包括覆盖结构与延伸结构,所述覆盖结构对应于漏斗的直管部,所述延伸结构对应于漏斗的漏斗部,所述覆盖结构覆盖所述发光芯片,所述延伸结构连接于所述覆盖结构,并朝向远离第一表面的方向外扩延伸;沿所述第二表面到所述第一表面的方向来看,所述延伸结构的孔径是逐渐变大的,所述延伸结构为环形延伸结构,所述延伸结构的中间是镂空的,所述延伸结构具有倾斜角度,所述倾斜角度介于105°~135°。

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