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申请/专利权人：罗姆股份有限公司
摘要：一种石墨烯的制造方法，其中，在碳基座上载置半导体基板，在碳基座或半导体基板的上方载置供给部件，通过第一加热源和第二加热源中的至少一者来对供给部件和碳基座进行加热，通过碳基座的加热来对半导体基板进行加热，在半导体基板上形成一层或多层石墨烯层。
主权项：1.一种石墨烯的制造方法，其特征在于，在碳基座上载置半导体基板，在所述碳基座或所述半导体基板的上方载置供给部件，通过第一加热源和第二加热源中的至少一者来对所述供给部件和所述碳基座进行加热，通过所述碳基座的加热来对所述半导体基板进行加热，在所述半导体基板上形成一层或多层石墨烯层。
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