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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方均设置有绝缘层和栅介质层，导电源区的上方、栅介质层的上方和导电阱区的上方共同设置有源极电极，源极电极的上方两侧设置有金属插塞结构和硬掩膜层，两个金属插塞结构的上方均设置有栅极金属层。该具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，增加电场的缓冲高效性，避免器件栅极层积累大量电荷造成栅极层被击穿的情况，有利于保障器件耐高压的性能，提高MOSFET晶体管的使用效果。
主权项：1.一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，包括漏极1，其特征在于：所述漏极1的上方设置有导电衬底层2，所述导电衬底层2的上端两侧均设置有导电外延层3，所述导电衬底层2的上端中部设置有导电柱区4，所述导电柱区4的上方均设置有绝缘层5和栅极电极7，所述栅极电极7内设置有栅介质层6，所述绝缘层5设置有两个，两个所述绝缘层5的上方分别设置有导电扩展层13和导电阱区7，所述导电扩展层13的上方设置有导电源区12，所述导电源区12的上方、栅介质层6的上方和导电阱区7的上方共同设置有源极电极8，所述源极电极8的上方两侧设置有金属插塞结构10和硬掩膜层9，两个所述金属插塞结构10的上方均设置有栅极金属层14。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件
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