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申请/专利权人：材料科学姑苏实验室
摘要：本发明公开了一种紫外半导体激光器，该紫外半导体激光器包括：衬底；外延结构，位于衬底一侧；外延结构包括激光出射层以及第一限制层；第一限制层位于激光出射层靠近衬底的一侧；第一限制层包括第一限制分部以及第二限制分部；第二限制分部位于第一限制分部远离衬底的一侧；第一限制分部包括光栅结构；第一限制分部包括n‑AlxGa1‑xN；第二限制分部包括n‑AlyGa1‑yN，其中0＜x＜y＜1。通过在第一限制分部设置光栅结构，且光栅结构与第二限制分部中的Al组分不同，能够优化第一限制层的折射率，将激光集中在激光出射层，进而能够减少光损耗，提高紫外半导体激光器的输出功率。
主权项：1.一种紫外半导体激光器，其特征在于，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底一侧；所述外延结构包括激光出射层以及第一限制层；所述第一限制层位于所述激光出射层靠近所述衬底的一侧；所述第一限制层包括第一限制分部以及第二限制分部；所述第二限制分部位于所述第一限制分部远离所述衬底的一侧；所述第一限制分部包括光栅结构；所述光栅结构包括n-AlxGa1-xN层；所述第二限制分部包括n-AlyGa1-yN层，其中，0＜x＜y＜1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 材料科学姑苏实验室 一种紫外半导体激光器
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