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申请/专利权人：广东省埃森塔科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种电子元件上金属图形的制作方法，包括先清洗电子元件的基底；然后绝缘材料通过物理气相沉积工艺在基底的上表面制备绝缘层；其次通过物理刻制工艺在绝缘层刻制金属图形，形成金属图形凹槽；接着贵金属材料通过物理气相沉积工艺填充金属图形凹槽至绝缘层的上表面，形成金属层；最后通过物理研磨工艺将金属层的上表面研磨至与绝缘层的上表面处于同一水平面，形成金属图形；使得该方法适用于各种厚度的目标金属膜层的金属图形制作，同时残留物中的贵金属主要以单质形式存在，贵金属材料的回收难度低，大大降低了电子元件的制造成本。
主权项：1.一种电子元件上金属图形的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：A1：清洗电子元件的基底；A2：绝缘材料通过物理气相沉积工艺在基底的上表面制备绝缘层；A3：通过物理刻制工艺在绝缘层刻制金属图形，形成金属图形凹槽；A4：贵金属材料通过物理气相沉积工艺填充金属图形凹槽至绝缘层的上表面，形成金属层；A5：通过物理研磨工艺将金属层的上表面研磨至与绝缘层的上表面处于同一水平面，形成金属图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省埃森塔科技有限公司 一种电子元件上金属图形的制作方法
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