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申请/专利权人：国际商业机器公司
摘要：一组晶体管元件包括第一掺杂类型的衬底以及均为第二掺杂类型且均形成在衬底上的第一阱和第二阱。该组晶体管元件还包括第一互补晶体管单元和第二互补晶体管单元。该组晶体管元件还包括在第一阱和第二阱之间的第一掺杂类型的反传播区域。
主权项：1.一组晶体管元件，包括：第一掺杂类型的衬底；第二掺杂类型的第一阱，形成在所述衬底上；第二掺杂类型的第二阱，形成在所述衬底上；第一平面，平行于所述第一阱和所述第二阱并且与所述第一阱和所述第二阱相交；第二平面，平行于所述第一阱和所述第二阱但不与所述第一阱或所述第二阱相交；第一互补晶体管单元，与所述第一平面相交；第二互补晶体管单元，与所述第一平面相交；以及第一掺杂类型的反传播区域，在所述第一阱与所述第二阱之间与所述第一平面相交。
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权利要求：
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