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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本实用新型提供了一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET，超结区内设有漂移层，超结区及漂移层连接至碳化硅衬底；沟道区内设有掩蔽层，沟道区以及掩蔽层连接至漂移层；隔离区连接至掩蔽层；源区连接至隔离区；第一栅极绝缘层连接至掩蔽层，第一栅极绝缘层内设有第一沟槽；第一源极金属层分别连接超结区以及沟道区；第二栅极绝缘层分别连接第一源极金属层、隔离区以及源区；第二栅极绝缘层内设有第二沟槽；第二源极金属层分别连接第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及源区；第一栅极金属层设于第一沟槽内；第二栅极金属层设于第二沟槽内；漏极金属层连接至所述碳化硅衬底，提高了栅控能力，降低了器件的导通电阻。
主权项：1.一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底，超结区，所述超结区的下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述超结区内设有漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；沟道区，所述沟道区下侧面连接至所述漂移层的上侧面，所述沟道区内设有掩蔽层，所述掩蔽层的下侧面连接至所述漂移层的上侧面；隔离区，所述隔离区下侧面连接至所述掩蔽层上侧面；源区，所述源区下侧面连接至所述隔离区上侧面；第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层下侧面连接至所述掩蔽层的上侧面，所述第一栅极绝缘层内设有第一沟槽；第一源极金属层，所述第一源极金属层分别连接超结区以及沟道区；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层分别连接所述第一源极金属层、隔离区以及源区；所述第二栅极绝缘层内设有第二沟槽；第二源极金属层，所述第二源极金属层分别连接所述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及源区；第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一沟槽内；第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二沟槽内；以及，漏极金属层，所述漏极金属层的上侧面连接至所述碳化硅衬底的下侧面。
全文数据：
权利要求：
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