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申请/专利权人:新唐科技日本株式会社
摘要:可变电容元件100具有衬底101、第1半导体层103、二维电子气层120、包含第1端子的第1电极107、和第2端子108;第1电极107之下的二维电子气层120作为第2电极123发挥功能;第1电极107的下表面设置为,与第1半导体层103的上表面的间隔沿着从第1电极107朝向第2端子108的第1方向或与第1方向正交的第2方向单调增加;对应于施加在第1电极107与第2端子108之间的电压,第1电极107与第2电极123之间的电容值变化。
主权项:1.一种可变电容元件,其特征在于,具有:衬底;第1半导体层,设在上述衬底之上;电介质层,设在上述第1半导体层之上,包含带隙比上述第1半导体层大的第2半导体层;二维电子气层,设在上述第1半导体层的与上述第2半导体层之间的界面处;包含第1端子的第1电极,设在上述电介质层之上;以及第2端子,在上述衬底的平面观察中与上述第1电极分离而设置,与上述二维电子气层电连接;上述第1电极之下的上述二维电子气层作为第2电极发挥功能;上述第1电极的下表面设置为,与上述第1半导体层的上表面之间的间隔沿着第1方向或第2方向单调增加,上述第1方向是从上述第1电极朝向上述第2端子的方向,上述第2方向是在上述平面观察中与上述第1方向正交的方向;上述第1电极与上述第2电极之间的电容值对应于在上述第1电极与上述第2端子之间施加的电压而变化;在上述衬底的剖视中,上述第1电极的下表面相对于上述第1半导体层的上表面的仰角为5°以上60°以下。
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