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申请/专利权人：SPTS科技有限公司
摘要：本发明提供了一种等离子体蚀刻方法，该方法用于蚀刻硅基化合物半导体衬底，该方法包括在蚀刻室内提供衬底并在衬底上执行循环过程，每个循环包括将蚀刻剂气体供应到蚀刻室中，将气体激发成等离子体，并使用等离子体在衬底上执行蚀刻步骤；并且执行解吸步骤，其中，在解吸步骤期间，供应到蚀刻室中的唯一气体是惰性气体，从而允许在蚀刻步骤期间吸附到衬底表面的反应物质从衬底表面解吸。
主权项：1.一种等离子体蚀刻硅基化合物半导体衬底的方法，所述方法包括：a在蚀刻室内提供衬底；b在所述衬底上执行循环过程，所述循环过程的每个循环包括：i.将蚀刻剂气体供应到所述蚀刻室中，将所述蚀刻剂气体激发成等离子体并使用所述蚀刻剂气体的所述等离子体在所述衬底上执行蚀刻步骤以蚀刻所述衬底的一部分；以及ii.执行解吸步骤，其中，在所述解吸步骤期间，供应到所述蚀刻室中的唯一气体是惰性气体，从而允许在所述蚀刻步骤期间吸附到所述衬底的表面的反应物质从所述衬底的表面解吸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SPTS科技有限公司 等离子体蚀刻方法
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