龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种椭球形纳米激光微腔的制备方法，属于纳米半导体材料领域。本发明首先在ZnO纳米棒阵列表面生长PTCDA辅助层，然后利用ZnO纳米棒缺陷多的部位在快速升温过程中容易蒸发的特性，以及MoOx材料的蒸发沉积特性，制备ZnO‑MoOx椭球形纳米微腔。本发明的原理科学，所需的ZnO纳米棒阵列、MoOx材料的制备工艺简单，反应条件温和，原料和设备的成本较低；同时，与ZnO纳米棒材料相比，ZnO‑MoOx椭球形纳米微腔具有更低的激射阈值。本发明的原理和方法有望应用于纳米激光、纳米光电子学，具有巨大的推广应用价值。
主权项：1.一种椭球形纳米激光微腔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.制备ZnO纳米棒阵列；S2.生长PTCDA辅助层；将长有ZnO纳米棒阵列的基片浸入3,4,9,10-四羧酸酐溶液中，使PTCDA吸附在ZnO纳米棒阵列表面，得到长有PTCDA-ZnO纳米棒阵列样品；S3.制备ZnO-MoOx椭球形纳米微腔；称取足量三氧化钼粉末；将PTCDA-ZnO纳米棒阵列样品正面朝下放置于三氧化钼粉末正上方；然后在保护气体环境下加热，加热方式为：10-15分钟内快速升温至600-700℃，并保持该温度5-30分钟，使MoOx材料蒸发沉积在PTCDA-ZnO纳米棒阵列上，同时ZnO纳米棒的薄弱处被蒸发；最后自然冷却至室温，得到ZnO-MoOx椭球形纳米微腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种椭球形纳米激光微腔的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号