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申请/专利权人：深圳市鹏乐智能系统有限公司

摘要：本发明提供了一种LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：根据多个设备节点分别选择对应的多个芯片制程检测模型，并将各设备节点在目标时间段的芯片制程数据分别输入对应的芯片制程检测模型中，得到对应的制程良率；基于各设备节点对应的权重数据和对应的制程良率计算目标时间段中生产的目标LED芯片的制程通过率；基于制程通过率判断目标LED芯片的产品等级是否为预设的不良品等级；对不良品等级的目标LED芯片进行芯片电学检测，得到芯片缺陷检测结果。本方法在LED芯片进行电学检测前使用不同工艺步骤时的制程数据，预测产品的出货品质和等级，只对不良产品进行电测，降低电测成本，并且可以使得产品电测导致的二次不良率下降。

主权项：1.一种LED芯片缺陷检测方法，其特征在于，所述LED芯片缺陷检测方法应用于LED芯片生产系统，所述LED芯片生产系统包括LED芯片在制程过程中多个制程段对应的多个设备节点；所述LED芯片缺陷检测方法包括：获取所述LED芯片生产系统中各设备节点在目标时间段的芯片制程数据；根据所述多个设备节点分别选择对应的多个芯片制程检测模型，并将所述芯片制程数据分别输入对应的芯片制程检测模型中，得到对应的设备节点在所述目标时间段对应的制程良率；所述芯片制程数据包括芯片制程参数和或三维形貌检测图像；所述根据所述多个设备节点分别选择对应的多个芯片制程检测模型，并将所述芯片制程数据分别输入对应的芯片制程检测模型中，得到设备节点在所述目标时间段对应的制程良率包括：根据所述多个设备节点分别选择对应的多个芯片制程检测模型，并根据所述多个设备节点的设备类型，确定对应设备节点对应的制程段是否为图像检测制程段；若是，则获取所述图像检测制程段中的三维形貌检测图像，并将所述三维形貌检测图像和所述芯片制程参数进行预处理后输入对应的芯片制程检测模型，得到对应的设备节点在所述目标时间段对应的制程良率；若否，则将所述芯片制程参数进行预处理后分别输入对应的芯片制程检测模型中，得到对应的设备节点在所述目标时间段对应的制程良率；基于各设备节点对应的权重数据和对应的制程良率计算所述目标时间段中生产的目标LED芯片的制程通过率；基于所述制程通过率确定所述目标时间段中生产的目标LED芯片的产品等级，并判断所述产品等级是否为预设的不良品等级；若是，则对所述目标时间段中生产的目标LED芯片进行芯片电学检测，得到芯片缺陷检测结果。

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