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申请/专利权人：NANO科技(北京)有限公司
摘要：本发明公开一种基于TSV工艺的底电极共用探测器阵列结构，阵列中各个像素的底电极通过基底掺杂共同连接在一起，并引向芯片外围的四周，且每个像素的顶电极独立接出，各个顶电极及底电极均通过TSV工艺连接至芯片背面。本发明还公开一种基于TSV工艺的底电极共用探测器阵列结构的制备方法。省去分配给底电极的空间，用于生长吸收层，从而提升填充因子；将顶电极通过硅通孔引至基底背面，在背面制备电极焊盘，因此，芯片正面仅需留出TSV工艺所需的空间即可，尺寸要求较大的电极焊盘则可在芯片背面进行制备，从而进一步提升探测器阵列结构的填充因子。
主权项：1.一种基于TSV工艺的底电极共用探测器阵列结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1：在基底上进行底部掺杂以形成底掺杂区域，且每个像素预留一块区域不做底部掺杂以形成空白区域；S2：在每个像素内的底掺杂区域上生长吸收层，且步骤S1中预留的空白区域内不进行吸收层的生长；S3：对吸收层进行顶部掺杂以形成顶掺杂层；S4：在芯片正面的底掺杂区域上制备底电极，在空白区域内制备顶电极，且顶电极与顶掺杂层相接触；S5：基于TSV工艺，将顶电极及底电极引至基底背面，并制备焊盘，其中通过在衬底上进行底部掺杂使得底电极共用探测器阵列结构中的所有像素的底电极共同连接在一起，省去分配给底电极的空间，用于生长吸收层，从而提升填充因子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： NANO科技(北京)有限公司 基于TSV工艺的底电极共用探测器阵列结构及其制备方法
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