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申请/专利权人：高熹腾

摘要：一种具有流体装置的感测芯片，包括：具有第一区域及第二区域的基板；场效晶体管，设置在基板的第一区域。流体装置设置在基板的第二区域且与场效晶体管电性连接。流体装置包括：具有窗口的隔离层以暴露在第二区域的基板的表面；第二闸极，设置在隔离层的窗口内，第二闸极包括多晶硅层及一层或多层的金属层；及参考电极，邻近第二闸极。将待测流体容置流体装置，使第二闸极与待测流体接触，在金属层上的接受器捕捉在待测流体内的目标物，金属层的电压值会随接受器捕捉目标物的数量而改变，利用电压值变化量可以得到目标物的浓度。

主权项：1.一种具有流体装置的感测芯片，其特征在于，包括：基板，所述基板具有第一区域及第二区域；场效晶体管，设置于所述基板的所述第一区域中，所述场效晶体管包含第一闸极、源极及汲极，所述第一闸极设置在所述源极及所述汲极之间且在所述基板上；以及流体装置，设置在所述基板的所述第二区域且与所述场效晶体管电性连接，所述流体装置包括：隔离层，设置于所述基板的所述第一区域及所述第二区域上，具有窗口且暴露所述第二区域的所述基板的表面，其中所述窗口所围成的区域为容置空间；第二闸极，设置于所述隔离层的所述窗口内，所述第二闸极由所述基板往上包括多晶硅层及一层或多层的金属层，所述多晶硅层是连续的一整层且所述金属层分小区的方式设置在所述多晶硅层上，每一个金属层都与一个场效晶体管电性连接；以及参考电极，邻近于所述第二闸极且设置在所述基板的所述第二区域上，所述参考电极与待测流体接触；其中，将待测流体容置于所述容置空间内，使得所述第二闸极的所述金属层接触到所述待测流体，将所述第二闸极中的所述多晶硅层的一端用以接地及所述多晶硅层的另一端与温度调控单元电性连接，所述温度调控单元提供温度调控讯号，并透过所述多晶硅层利用所述温度调控讯号对在所述容置空间内的所述待测流体进行加热并调控所述待测流体的温度，使得所述待测流体的所述温度在达到默认温度的过程中，在所述金属层的表面上的多个接受器用以捕捉在所述待测流体内的多个目标物，且所述第二闸极的所述金属层的电压值会随着所述接受器捕捉所述目标物的数量而改变，且所述第二闸极将所述金属层的所述电压值变化经由场效晶体管将输出电流以并联方式计算总输出电流的变化量传送至外部处理单元，由所述外部处理单元处理以得到对应于所述金属层的所述电压值变化的所述待测流体内的所述目标物在所述默认温度下的浓度值；其中所述温度调控单元为脉冲宽度调变单元。

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