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申请/专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
摘要：本发明涉及半导体制备装置技术领域，更具体而言，涉及一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置，包括PBN坩埚、石英管、加热器，石英管放置在炉芯上，石英管与炉芯之间设置有保温支撑，炉芯内设置有玻璃棒；PBN坩埚与石英管设置在保温装置内，保温装置为下部开口的中空筒状结构，保温装置内壁镶嵌有加热器，通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部玻璃棒提供热流失通道；在石英管与坩埚之间设置有保温支撑，阻挡石英支撑管散热，均化温场，避免温场倒置，易生长出合格单晶，孪晶率下降至20%，提高晶体生长效率，提高经济效益。
主权项：1.一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置，其特征在于：包括PBN坩埚（1）、石英管（2）、加热器（3），所述PBN坩埚（1）设置在石英管（2）内，所述石英管（2）上部设置有石英帽（4），石英管（2）放置在炉芯（5）上，所述石英管（2）与炉芯（5）之间设置有保温支撑（6），阻挡石英支撑管散热，均化温场，避免温场倒置；炉芯（5）在石英管（2）石英嘴相应位置开设有架设孔，架设孔下部设置有玻璃棒（7）；所述PBN坩埚（1）与石英管（2）设置在保温装置（8）内，所述保温装置（8）为下部开口的中空筒状结构，所述保温装置（8）内壁镶嵌有加热器（3）；所述保温支撑（6）为顶部与底部开口的倒圆台形状；所述保温支撑（6）采用刚玉材料；所述保温支撑（6）母线与中心轴夹角与石英管（2）锥角相适应；所述保温支撑（6）底面内直径大于石英管（2）籽晶区直径，保温支撑（6）底面外直径大于架设孔直径；保温支撑（6）顶面内直径大于石英管（2）管体直径，保温支撑（6）顶面外直径小于保温装置（8）内径。
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