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申请/专利权人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司;北京元陆鸿远电子技术有限公司
摘要：本发明提供了一种单层芯片瓷介电容器及其制备方法和应用，属于电容器技术领域。本发明提供的单层芯片瓷介电容器包括依次叠层设置的Au层、阻挡层、第一TiW层、陶瓷基板、第二TiW层与Pt层，所述阻挡层包括NiV层，所述Au层的厚度≤2000nm，所述Pt层的厚度≤600nm。本发明中单层芯片瓷介电容器的正面和背面采用不同膜层结构，仅正面设置Au层，且其厚度≤2000nm，背面Pt层的厚度≤600nm，有效降低了材料成本；而且本发明提供的单层芯片瓷介电容器的电性能指标、可焊性、可靠性验证均与传统正反面TiW+Ni+Au膜层结构产品一致，便于大规模推广使用。
主权项：1.一种单层芯片瓷介电容器，其特征在于，包括依次叠层设置的Au层、阻挡层、第一TiW层、陶瓷基板、第二TiW层与Pt层，所述阻挡层包括NiV层，所述Au层的厚度≤2000nm，所述Pt层的厚度≤600nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 北京元陆鸿远电子技术有限公司 一种单层芯片瓷介电容器及其制备方法和应用
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