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申请/专利权人：沈阳工程学院
摘要：本发明属于紫外光电探测技术领域，具体涉及一种基于Cu2OMgZnOⅡ型异质结的高性能自供电紫外探测器及其制备方法；所述的探测器由下至上依次由a‑b组成，其中aFTO玻璃衬底；bMgZnO纳米薄膜：采用溶胶‑凝胶法在FTO玻璃衬底上制备；cCu2O薄膜：采用连续离子层吸附和反应SILAR技术在MgZnO薄膜表面制备；dAu电极：在Cu2O薄膜表面采用真空蒸镀法制备。本发明采用SILAR技术引入Cu2O作为P型半导体和MgZnO的表面修饰层，在接触界面处形成II型能带排列结构，通过构建Cu2OMgZnOⅡ型异质结，有效提高紫外光吸收效率和改善界面电荷动力学，使基于Cu2OMgZnO异质结的自供电紫外探测器性能得到全面提升。
主权项：1.一种基于Cu2OMgZnOⅡ型异质结的自供电紫外探测器，其特征在于：所述探测器由下至上依次由a-b组成，其中aFTO玻璃衬底；bMgZnO纳米薄膜：采用溶胶-凝胶法在FTO玻璃衬底上制备；cCu2O薄膜：采用连续离子层吸附和反应SILAR技术在MgZnO薄膜表面制备；dAu电极：在Cu2O薄膜表面采用真空蒸镀法制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沈阳工程学院 一种基于Cu2O/MgZnOII型异质结的自供电紫外探测器及其制备方法
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