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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
摘要：本公开提供了一种存储器装置及其读取方法。存储器装置至少包括一第一字线、一第二字线及一第三字线。第二字线及第三字线相邻于第一字线。读取方法包括以下步骤。执行一读取程序，以读取第一字线的多个存储单元。当发生读取错误，则对位于一状态边缘群的部分存储单元执行一重读程序。读取程序包括：施加一读取电压于第一字线；施加一第一导通电压于第二字线及第三字线。重读程序包括：施加读取电压于第一字线；施加不同于第一导通电压的一第二导通电压于第二字线；施加不同于第一导通电压的一第三导通电压于第三字线。
主权项：1.一种存储器装置的读取方法，该存储器装置至少包括一第一字线、一第二字线及一第三字线，该第二字线及该第三字线相邻于该第一字线，该读取方法包括：执行一读取程序，以读取该第一字线的多个存储单元，其中该读取程序包括：施加一读取电压于该第一字线；及在施加该读取电压于该第一字线时，施加一第一导通电压于该第二字线及该第三字线；以及当发生读取错误，则对位于一状态边缘群的部分这些存储单元执行一重读程序，其中该重读程序包括：施加该读取电压于该第一字线；在施加该读取电压至该第一字线时，施加一第二导通电压于该第二字线，其中该第二导通电压不同于该第一导通电压；及在施加该读取电压至该第一字线时，施加一第三导通电压于该第三字线，其中该第三导通电压不同于该第一导通电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 存储器装置及其读取方法
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