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申请/专利权人：北方夜视技术股份有限公司
摘要：本申请公开了一种具有光电子雪崩放大效应的光电阴极结构、微光像增强器、EBAPS结构，包括：玻璃入射窗、透明导电电极层、半导体雪崩倍增层、光电发射层、偏置电压电源；玻璃入射窗底面上设置透明导电电极层，透明导电电极层底面上设置半导体雪崩倍增层，半导体雪崩倍增层底面上设置光电发射层；偏置电压电源正极与光电发射层电连接；偏置电压电源的负极与透明导电电极层电连接。该阴极结构通过在内部设置半导体雪崩倍增层，实现对光电子的吸收和倍增，光电子从阴极逸出之前先经过P‑N结的雪崩增益放大从而改善成像的高量子产额和低信噪比，实现在较低照度下的较好成像效果。
主权项：1.一种具有光电子雪崩放大效应的光电阴极结构，其特征在于，包括：玻璃入射窗10、透明导电电极层20、半导体雪崩倍增层30、光电发射层40、偏置电压电源；玻璃入射窗10底面上设置透明导电电极层20，透明导电电极层20底面上设置半导体雪崩倍增层30，半导体雪崩倍增层30底面上设置光电发射层40；偏置电压电源正极与光电发射层40电连接；偏置电压电源的负极与透明导电电极层20电连接；雪崩倍增层30吸收穿过玻璃入射窗10、透明导电电极层20的入射光产生光电子-空穴对，雪崩二极管的反偏电压产生高电场，使光电子发射碰撞电离进行雪崩倍增得到倍增电子，倍增电子在电场作用下移动到光电发射层40，其中能量高于光电发射层40表面的具有超逸功的倍增电子在电场驱动下，从光电发射层40的发射层表面逸出用于光成像。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北方夜视技术股份有限公司 具有光电子雪崩放大效应的光电阴极结构、微光像增强器、EBAPS结构
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