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申请/专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;美国时代全芯有限公司
摘要：本发明提供一种GST层的刻蚀方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的方法包括：积层体形成步骤，在半导体衬底上形成积层体，积层体包括从下至上依次形成的GST层，TiN层，SiN层，碳HM层，SHB层，以及PR层；光刻步骤，对PR层进行曝光显影，形成图案化PR层；第一蚀刻步骤，通过图案化PR层对SHB层和碳HM层进行蚀刻，形成图案化碳HM层；第二刻蚀步骤，通过图案化碳HM层对SiN层进行蚀刻，形成图案化SiN层；以及第三蚀刻步骤，通过图案化SiN层对TiN层和GST层进行蚀刻，形成图案化TiN层和图案化GST层。通过本发明的方法，可以提高CD一致性并且减少缺陷，从而提高产品良率。此外还简化了制造工艺，降低了制造成本。
主权项：1.一种相变材料层的刻蚀方法，包括：积层体形成步骤S001，在半导体衬底上形成积层体100，所述积层体100包括从下至上依次形成的相变材料层1，氮化钛层2，氮化硅层3，碳掩模层4，含硅抗反射层5，以及光阻层6；光刻步骤S002，对所述光阻层6进行曝光显影，形成图案化光阻层16；第一蚀刻步骤S003，通过所述图案化光阻层16对所述含硅抗反射层5和所述碳掩模层4进行蚀刻，形成图案化碳掩模层14；第二刻蚀步骤S004，通过所述图案化碳掩模层14对所述氮化硅层3进行蚀刻，形成图案化氮化硅层13；以及第三蚀刻步骤S005，通过所述图案化氮化硅层13对所述氮化钛层2和所述相变材料层1进行蚀刻，形成图案化氮化钛层12和图案化相变材料层11。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京时代全芯存储技术股份有限公司 美国时代全芯有限公司 相变材料层的刻蚀方法
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